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电子元器件详细资料 » IC[28763] » SI7119DN-T1-E3
型号:SI7119DN-T1-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8描述:MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.05 欧姆 @ 1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs25nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds666pF @ 50V
功率_最大52W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
包装带卷 (TR)

供应商

瀚佳科技(深圳)有限公司李先生 李小姐0755-23140719/23915992
深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
上海传泽电子科技有限公司陈13381567868
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SI7119DN-T1-E3相关型号

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